二极管的相关参数　　

    1、反向工作电压

　　加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了反向工作电压值。例如，IN4001二极管反向耐压为50V，IN4007反向耐压为1000V。

　　2、 反向电流

　　反向电流是指二极管在规定的温度和反向电压作用下，流过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管，在25℃时反向电流若为250uA，温度升高到35℃，反向电流将上升到500uA，依此类推，在75℃时，它的反向电流已达8mA，不仅失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅二极管，25℃时反向电流仅为5uA，温度升高到75℃时，反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。

　　3、整流电流

　　是指二极管长期连续工作时允许通过的正向电流值，其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为141左右，锗管为90左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以在规定散热条件下，二极管使用中不要超过二极管整流电流值。例如，常用的IN4001－4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。

　　4.动态电阻Rd

　　二极管特性曲线静态工作点Q附近电压的变化与相应电流的变化量之比。

 

     基于二极管的TVS产品拥有其它ESD保护产品所不具备的多用性——可选择单向和双向保护。基本二极管是单向产品，且是仅有的单向保护元件。串联结合两个二极管就能轻易地构成双向保护。双向保护可通过共阴极或共阳极配置来实现。使用一对单向TVS器件便能实现双向保护性能。市面上有多种基于双向二极管的TVS器件，这些器件中的两个二极管均位于同一个封装，甚至经常集成在单个硅衬底上。

过去，硅TVS器件由于电容高，在保护低压高速信号线路方面存在劣势。然而，近年来的技术进步消除了这种不利因素。安森美半导体的新产品ESD9L5.0将硅器件保护的优势与高速应用要求的低电容结合在一起。这个产品的特性就像一个简单的齐纳二极管。事实上，ESD9L5.0包含一个击穿电压低的齐纳二极管和一对击穿电压高(因而电容小)的标准二极管。

 

特点

 ESD保护化传输差分信号（TMDS）信道保护四个I / O线

每一行提供ESD保护IEC61000-4-2（ESD）±15kV（空气），±10kV的（接触）

IEC61000-4-5（闪电）3.5A（8/20μS）

工作电压为5V及以下

超低电容：典型值为0.5pF

快速的开启和低钳位电压

内部的ESD二极管阵列

相当于TVS（瞬态电压抑制）二极管

简化布局HDMI连接器

固态硅雪崩和有源电路触发技术绿色部分

 

二极管又叫半导体二极管、晶体二极管，是常用的基本电子元件之一。二极管只往一个方向传送电流，由p型半导体和n型半导体形成的p-n结构成，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 

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