M45PE10-VMN6TP  美光（MICRON)原装NOR闪存 现货供应

规格型号：M45PE10-VMN6TP

品牌：MICRON

封装：SOP-8

包装：卷盘

容量：1Mb

存储类型：非易失

存储格式：闪存

存储技术：FLASH-NOR

存储接口：SPI

工作电压：2.7V-3.6V

安装类型：表面贴装

器件状态：批量生产

NOR闪存概述

闪存的每个存储单元与标准MOSFET类似，不同的是闪存的晶体管有两个而并非一个栅极。在顶部的是控制栅（Control Gate, CG），如同其他MOS晶体管。但是它下方则是一个以氧化物层与周遭绝缘的浮栅（Floating Gate, FG）。这个FG放在CG与MOSFET沟道之间。由于这个FG在电气上是受绝缘层独立的，所以进入的电子会被困在里面。在一般的条件下电荷经过多年都不会逸散。当FG抓到电荷时，它部分屏蔽掉来自CG的电场，并改变这个单元的阈值电压（VT）。在读出期间。利用向CG的电压，MOSFET沟道会变的导电或保持绝缘。这视乎该单元的VT而定（而该单元的VT受到FG上的电荷控制）。这股电流流过MOSFET沟道，并以二进制码的方式读出、再现存储的数据。在每单元存储1比特以上的数据的MLC设备中，为了能够更的测定FG中的电荷位准，则是以感应电流的量（而非单纯的有或无）达成的。

逻辑上，单层NOR Flash单元在默认状态代表二进制码中的“1”值，因为在以特定的电压值控制栅极时，电流会流经沟道。经由以下流程，NOR Flash单元可以被设置为二进制码中的“0”值：

1.对CG施加高电压（通常大于5V）。

2.现在沟道打开，所以电子可以从源极流入漏极（想像它是NMOS晶体管）。

3.源-漏电流够高了，足以导致某些高能电子越过绝缘层，并进入绝缘层上的FG，这种过程称为热电子注入。

由于漏极与CG间有一个大的、相反的极性电压，借由量子穿隧效应可以将电子拉出FG，所以能够地用这个特性抹除NOR Flash单元（将其重置为“1”状态）。现代的NOR Flash芯片被分为若干抹除片段（常称为区扇（Blocks or sectors）)，抹除操作只能以这些区块为基础进行；所有区块内的记忆单元都会被一起抹除。不过一般而言，写入NOR Flash单元的动作却可以单一字节的方式进行。

虽然抹写都需要高电压才能进行，不过实际上现今所有闪存芯片是借由芯片内的电荷泵产生足够的电压，所以只需要一个单一的电压供应即可。

从NOR Flash读取数据的方式与从RAM读取数据相近，只要提供数据的地址，数据总线就可以正确的导出数据。基于以上原因，多数微处理器可以将NOR Flash当作原地运行（Execute in place, XIP）存储器使用，这意味着存储在NOR Flash上的程序不需复制到RAM就可以直接运行。由于NOR Flash没有原生坏区管理，所以一旦存储区块发生毁损，软件或驱动程序必须接手这个问题，否则可能会导致设备发生异常。在解锁、抹除或写入NOR Flash区块时，特殊的指令会先写入已绘测的记忆区的页（Page）。接着快闪记忆芯片会提供可用的指令清单给实体驱动程序，而这些指令是由通用闪存接口（Common Flash memory Interface, CFI）所界定的。与用于随机存取的ROM不同，NOR Flash也可以用在存储设备上；不过与NAND Flash相比，NOR Flash的写入速度一般来说会慢很多。NOR Flash常见用途之一就是BIOS ROM芯片。

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