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8GB快闪存储器,原装NAND FLASH芯片,镁光闪存MT29F64G08CBAAA

8GB快闪存储器,原装NAND FLASH芯片,镁光闪存MT29F64G08CBAAA
8GB快闪存储器,原装NAND FLASH芯片,镁光闪存MT29F64G08CBAAA
  • 类型:

    存储器

  • 品牌/商标:

    MICRON

  • 型号/规格:

    MT29F64G08CBAAAWP:A

  • 存储容量:

    8GB

  • 针脚数:

    48PIN

  • 封装:

    TSOP48PIN

  • 批号:

    2011+

普通会员
  • 企业名:深圳市其文科技有限公司

    类型:经销商

    电话: 86 0755 83185759

    联系人:雷兰

    地址:广东深圳中国 广东 深圳市 龙岗区布吉百合星城C座2301

产品分类
商品信息

MICRON*原装NAND-FLASH闪速存储器。
容量:8GB,封装:TSOP48PIN. 25nm工艺制程。
MOQ:1000PCS/包或2000PCS/包。
适合于纯数据存储和文件存储,主要作为SmartMedia卡、CompactFlash卡、PCMCIA ATA卡、固态盘的存储介质,用于智能电话、个人数字助理、掌上电脑、数字相机、便携式摄像机、便携式音乐播放机等。

 2014-2-17报价:     
容量     品牌      型号     深圳交货价     制程     MOQ
16*  hynix  HY27US08281A-TPCB  6.30   90nm  960pcs
32*  hynix HY27US08561A-TPCB  7.30   90nm  960pcs
128* Samsung K9F1G08U0D-SCB0  8.90  42nm 960pcs
256* Samsung K9F2G08U0C-SCB0  12.50  42nm 960pcs
2GB hynix H27UAG8T2ATR-BC  21.30  41nm 960pcs
2GB hynix H27UAG8T2*R-BC  16.30  20nm 960pcs
2GB micron MT29F16G08CBACAWP 18.10  25nm 1000pcs
4GB samsung K9GBG08U0A-SCB0  25.30  27nm 960pcs
4GB samsung K9GBG08U0B-SCB0  17.70  21nm 960pcs
4GB hynix H27UBG8T2BTR-BC  16.80  26nm 960pcs
4GB hynix H27UBG8T2*R-BC  16.30  20nm 960pcs
4GB micron MT29F32G08CBACAWP:C 20.90  25nm 1000pcs
8GB hynix H27UCG8T2ATR-BC  23.60  26nm 960pcs
8GB hynix H27UCG8T2BTR-BC  19.60  20nm 960pcs
8GB micron MT29F64G08CBAAAWP:A 27.60  25nm 2000pcs
8GB micron MT29F64G08CBABAWP:B 19.80  20nm 2000pcs
16GB micron MT29F128G08CFAAAWP:A 62.00  25nm 2000pcs
16GB micron MT29F128G08CFABAWP:B 51.50  20nm 2000pcs
32GB micron MT29F256G08CJAAAWP:A 182.00  25nm 2000pcs
32GB micron MT29F256G08CJAABWP-12:A 182.00  25nm 1000pcs

NAND FLASH闪存芯片价格不稳定,订货以实时确认为主!欢迎来电咨询。

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企业名:深圳市其文科技有限公司

类型:经销商

电话: 86 0755 83185759

联系人:雷兰

地址:广东深圳中国 广东 深圳市 龙岗区布吉百合星城C座2301

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