LY60N系列高精度、低功耗消耗电压检测器，制造使用NMOS技术。检测电压非常高温度漂移小。NMOS输出配置可用。

高精度：±1%（-vdet=2.2V以上）

低功耗：典型值0.7uA（VIN=3.5 V，-vdet=2.0 V）

检测电压范围：1.0伏~6.5伏，以0.1伏为增量

工作电压范围：0.7V~7V

检测电压温度特性：

TYP±100ppm／

输出配置：NMOS

典型应用

微处理器复位电路

存储器电池备份电路

上电复位电路

电源故障检测

典型应用电路

封装：3针SOT23-3、SOT89-3、TO-92

LY60N系列高精度、低功耗消耗电压检测器，制造使用NMOS技术。检测电压非常高温度漂移小。NMOS输出配置可用。

高精度：±1%（-vdet=2.2V以上）

低功耗：典型值0.7uA（VIN=3.5 V，-vdet=2.0 V）

检测电压范围：1.0伏~6.5伏，以0.1伏为增量

工作电压范围：0.7V~7V

检测电压温度特性：

TYP±100ppm／

输出配置：NMOS

典型应用

微处理器复位电路

存储器电池备份电路

上电复位电路

电源故障检测

典型应用电路

封装：3针SOT23-3、SOT89-3、TO-92LY60N系列高精度、低功耗消耗电压检测器，制造使用NMOS技术。检测电压非常高温度漂移小。NMOS输出配置可用。

高精度：±1%（-vdet=2.2V以上）

低功耗：典型值0.7uA（VIN=3.5 V，-vdet=2.0 V）

检测电压范围：1.0伏~6.5伏，以0.1伏为增量

工作电压范围：0.7V~7V

检测电压温度特性：

TYP±100ppm／

输出配置：NMOS

典型应用

微处理器复位电路

存储器电池备份电路

上电复位电路

电源故障检测

典型应用电路

封装：3针SOT23-3、SOT89-3、TO-92 

LY60N系列高精度、低功耗消耗电压检测器，制造使用NMOS技术。检测电压非常高温度漂移小。NMOS输出配置可用。

高精度：±1%（-vdet=2.2V以上）

低功耗：典型值0.7uA（VIN=3.5 V，-vdet=2.0 V）

检测电压范围：1.0伏~6.5伏，以0.1伏为增量

工作电压范围：0.7V~7V

检测电压温度特性：

TYP±100ppm／

输出配置：NMOS

典型应用

微处理器复位电路

存储器电池备份电路

上电复位电路

电源故障检测

典型应用电路

封装：3针SOT23-3、SOT89-3、TO-92

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