由于采用了内部 PMOSFET 架构，加上防倒充电路，所以不需要外部检测电阻器和

隔离二极管。热反馈可对充电电流进行自动调节，以便在大功率操作或高环境温度条件

下对芯片温度加以限制。充满电压固定于 4.2V，而充电电流可通过一个电阻器进行外部

设置。当电池达到 4.2V 之后，充电电流降至设定值 1/10，ES4358 将自动终止充电。

当输入电压（交流适配器或 USB 电源）被拿掉时，ES4358 自动进入一个低电流状

态，电池漏电流在 2uA 以下。ES4358 的其他特点包括充电电流监控器、欠压闭锁、自

动再充电和两个用于指示充电结束和输入电压接入的状态引脚。

由于采用了内部 PMOSFET 架构，加上防倒充电路，所以不需要外部检测电阻器和

隔离二极管。热反馈可对充电电流进行自动调节，以便在大功率操作或高环境温度条件

下对芯片温度加以限制。充满电压固定于 4.2V，而充电电流可通过一个电阻器进行外部

设置。当电池达到 4.2V 之后，充电电流降至设定值 1/10，ES4358 将自动终止充电。

当输入电压（交流适配器或 USB 电源）被拿掉时，ES4358 自动进入一个低电流状

态，电池漏电流在 2uA 以下。ES4358 的其他特点包括充电电流监控器、欠压闭锁、自

动再充电和两个用于指示充电结束和输入电压接入的状态引脚。

由于采用了内部 PMOSFET 架构，加上防倒充电路，所以不需要外部检测电阻器和

隔离二极管。热反馈可对充电电流进行自动调节，以便在大功率操作或高环境温度条件

下对芯片温度加以限制。充满电压固定于 4.2V，而充电电流可通过一个电阻器进行外部

设置。当电池达到 4.2V 之后，充电电流降至设定值 1/10，ES4358 将自动终止充电。

当输入电压（交流适配器或 USB 电源）被拿掉时，ES4358 自动进入一个低电流状

态，电池漏电流在 2uA 以下。ES4358 的其他特点包括充电电流监控器、欠压闭锁、自

动再充电和两个用于指示充电结束和输入电压接入的状态引脚。