近年来，消费者对手机、 计算机、数码相机等便携电子产品的功能要求越来越高，相应的功能性I/O端口也随之越来越多。消费者在电缆连接和断开时将有更大可 能触摸到I / O连接器的引脚。在正常工作条件下，触摸一个暴露的端口或接口，可以导致超过30kV以上电压的放电。小线宽的半导体器件由于不能承受过高的电压、过高电 流或者是两者的结合而被损坏，过高的电压可能会导致栅氧化层被击穿，而过高的电流会造成结发生故障和金属连线熔化。

       在ESD保护器件的选择方面，传统上常用的ESD保护器件有齐纳二极管、金属氧化物可变电阻（MOV）和TVS瞬态电压抑制二极管
确保信号完整性对ESD保护器件的设计要求首先要保证有很高的抗静电放电能力，其次就是要确保信号完整性的要求的足够低的电容、更高的带宽及ESD保护器件批次的一致性。

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RLST23A122LV RLST23A152LV RLST23A242LV RLST23A362LV RLST23A051LV RLST23A121LV RLST23A151LV RLST23A241LV RLST23A712C RLST23A2.82LV RLST23A0524LV RLST236A054V RLST236A124V RLST236A154V RLST236A244V RLST236A055C RLST236A125C RLST236A155C RLST236A245C RLST236A054LV RLST363A054LV RLST143A053LV RLST563A053LV RLST563A054V RLST563A055V RLSO8A054LV RLSO8A054LC RLSO8A2.84LV RLSO8A2.88LV RLSO16A058LC RLSO10A055LV RLDSON10A054

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