ESD静电二极管（也称为瞬态抑制二极管——TVS Diode）专门用于保护电子电路，以防受到 瞬变和过压的危害，例如：EFT（电气快速瞬变）以及ESD（静电放电）。瞬态抑制二极管是采用硅雪崩技术的器件，因其具有反应时间快（低钳位电压）、电容值较低和漏电流低等特点而被选用。

主要特性：

出色的ESD保护特性

极低容抗

超快的响应速度(<1ns)

低钳位电压

超低漏电流

IEC 61000-4-2,level 4 (> 15 kV 非接触放电, > 8 kV 接触放电)

HBM MIL-Std 883, class 3(> 4 kV)E

EESD05CC02|ESD静电二极管|ESD静电抑制器

EESD03CC02|ESD静电二极管|ESD静电抑制器

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