FQB8N60C特性

7.5A, 600V, RDS(on) = 1.2Ω（值）@VGS = 10 V, ID = 3.75A栅极电荷低（典型值：28nC)

低 Crss（典型值12pF)

100% 经过雪崩击穿测试

FQB8N60C产品技术参数

通道类型 N

连续漏极电流 7.5 A

漏源电压 600 V

漏源电阻值 1.2 Ω

栅阈值电压 2V

栅源电压 ±30 V

封装类型 D2PAK

安装类型 表面贴装

引脚数目 3

通道模式 增强

类别 功率 MOSFET

功率耗散 3.13 W

配置 单

典型输入电容值@Vds 965 pF@ 25 V

典型栅极电荷@Vgs 28 nC@ 10 V

高度 4.83mm

典型接通延迟时间 16.5 ns

每片芯片元件数目 1

工作温度 +150 °C

典型关断延迟时间 81 ns

工作温度 -55 °C

FQB8N60C 大量现货

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