IRF840PBF产品特点•动态dV / dt评级•重复雪崩额定•快速交换•易于并联•简单驱动要求•材料分类:合规的定义 * This datasheet provides information about parts that are RoHS-compliant and / or parts that are non-RoHS-compliant. For example, parts with lead (Pb) terminations are not RoHS-compliant. Please see the information / tables in this datasheet for details.IRF840PBF描述Vishay的第三代功率MOSFET提供设计师与快速切换的组合，加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。在TO- 220封装普遍的所有商业工业应用的功率耗散水平，以约50瓦的低热阻和TO- 220封装低的成本导致其广泛接受整个行业。IRF840PBF产品概述IRF840PBF产品参数数据列表 IRF840, SiHF840;Packaging Information;标准包装 50包装 管件类别 分立半导体产品产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单系列 -其它名称 *IRF840PBF 规格FET 类型 N 沟道技术 MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss） 500V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 63nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 1300pF @ 25VVgs（值） ±20VFET 功能 -功率耗散（值） 125W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 850 毫欧 @ 4.8A，10V工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型 通孔供应商器件封装 TO-220AB封装/外壳 TO-220-3

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