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AON6522 N沟道 DFN 场效应管

AON6522 N沟道 DFN 场效应管
AON6522 N沟道 DFN 场效应管
金牌会员 第 9
  • 企业名:湖人半导体(深圳)有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-82578272
    0755-82577852

    手机:16670529611
    13302942150

    联系人:王小姐/雷小姐

    QQ: QQ:2881224521QQ:2881218494

    微信:

    邮箱:hurenbandaoti@chinaxilinx.com

    地址:广东深圳深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1002号赛格广场6010A

商品信息

产品概述

•的沟槽功率AlphaMOS ( αMOS LV )技术

•非常低的RDS(on ),在4.5VGS

•低栅极电荷

•高电流能力

•符合RoHS和无卤素标准

AON6522产品应用

•在电脑,服务器和POL DC / DC转换器

•在电信和工业隔离DC / DC转换器

AON6522产品概述

VDS                  25V

ID (at VGS=10V) 200A

RDS(ON) (at VGS=10V) < 0.95mΩ

RDS(ON) (at VGS = 4.5V) < 1.3mΩ

100% UIS Tested

100% Rg Tested

AON6522产品图

AON6522产品参数

数据列表AON6522;

DFN5x6_8L_EP1_P Pkg Drawing;标准包装3,000包装标准卷带类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单规格FET 类型N 沟道技术MOSFET(金属氧化物)漏源极电压(Vdss)25V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)71A(Ta),200A(Tc)不同 Id 时的 Vgs(th)(值)2V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值)145nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值)7036pF @ 15VFET 功能-功率耗散(值)7.3W(Ta),83W(Tc)不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值)0.95 毫欧 @ 20A,10V工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装供应商器件封装8-DFN(5x6)封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线



联系方式

企业名:湖人半导体(深圳)有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-82578272
0755-82577852

手机:16670529611
13302942150

联系人:王小姐/雷小姐

QQ: QQ:2881224521QQ:2881218494

微信:

邮箱:hurenbandaoti@chinaxilinx.com

地址:广东深圳深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1002号赛格广场6010A

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