IR
IRFP9140N
TO247
65600
请来电
企业名:湖人半导体(深圳)有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话:
0755-82578272
0755-82577852
手机:16670529611
13302942150
联系人:王小姐/雷小姐
微信:
邮箱:hurenbandaoti@chinaxilinx.com
地址:广东深圳深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1002号赛格广场6010A
IRFP9140N产品特性
先进的工艺技术
动态的dv / dt额定值
175 ° C工作温度
P沟道
快速开关
全额定雪崩
IRFP9140N产品描述
国际整流器第五代HEXFETs利用先进的加工技术,以实现极低的导通电阻每硅片面积。这益处,结合快速开关速度和坚固耐用的设备的设计,HEXFET功率MOSFET是众所周知的,为设计者提供用一个非常有效和可靠的装置,用于使用在各种各样的应用中。
在TO- 247封装的commercial-工业应用更高的功率电平排除使用的TO-220的设备。该TO- 247相似但优于早前TO- 218封装因为它孤立的安装孔。
IRFP9140N产品原理图
IRFP9140N产品详细信息
P通道功率 MOSFET 100V 至 150V,Infineon
Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供系统效率。
MOSFET 晶体管,Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
IRFP9140N产品一般信息
数据列表IRFP9140N;标准包装25包装散装 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单系列HEXFET®规格FET 类型P 沟道技术MOSFET漏源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)23A(Tc)不同 Id 时的 Vgs(th)(值)4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值)97nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值)1300pF @ 25VFET 功能-功率耗散(值)140W(Tc)不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值)117 毫欧 @ 13A,10V工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型通孔封装TO-247AC封装/外壳TO-247-3
企业名:湖人半导体(深圳)有限公司
类型:贸易/代理/分销
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