AOS
AO4435
SOP
65600
请来电
企业名:湖人半导体(深圳)有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话:
0755-82578272
0755-82577852
手机:16670529611
13302942150
联系人:王小姐/雷小姐
微信:
邮箱:hurenbandaoti@chinaxilinx.com
地址:广东深圳深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1002号赛格广场6010A
产品概述
该AO4435采用先进的沟槽技术提供了的研发RDS(ON),和超低低栅极电荷用25V的栅极评级。这个装置是适合于用作负载开关或PWM应用。
-RoHS标准
产品参数
VDS = -30V
ID = -10.5A (VGS = -20V)
RDS(ON) < 14mΩ (VGS = -20V)
RDS(ON) < 18mΩ (VGS = -10V)
RDS(ON) < 36mΩ (VGS = -5V)
100% UIS Tested 100% Rg TestedAO4435
产品原理图
AO4435
产品一般信息
数据列表AO4435 Datasheet;
SO8 Pkg Drawing;标准包装3,000类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单系列-规格FET 类型P 沟道技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)10.5A(Ta)驱动电压( Rds On, Rds On)5V,20V不同 Id 时的 Vgs(th)(值)3V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值)24nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值)1400pF @ 15VVgs(值)±25VFET 功能-功率耗散(值)3.1W(Ta)不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值)14 毫欧 @ 11A,20V工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装供应商器件封装8-SOIC封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
企业名:湖人半导体(深圳)有限公司
类型:贸易/代理/分销
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0755-82578272
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手机:16670529611
13302942150
联系人:王小姐/雷小姐
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