AP8022A采用先进的高低压兼容工艺，将PWM控制电路和耐压高达700V以上的MOSFET

完美的集成在同一颗芯片上。

AP8022A主要特征：

󰂋电流控制模式；

󰂋内置高压MOSFET（>700v）； 󰂋 VDD输入范围为9～38v；

󰂋内置频率为62KHz振荡器  集成了过压、欠压、过流、短路、过温等完整的保护方案；

󰂋空载时芯片静态功耗小于100mW； 󰂋 自动重启

AP8022应用领域  

AC/DC 电源适配器

DVD/VCD电源  

电磁炉电源  

空调电源

机顶盒电源

AC/DC LED驱动

AP8022A比较优势：

󰂋 内置高压MOSFET能有效的节约购买分离器件的成本，同时PCB版图的面积也

将缩小。由于PWM控制电路和功率管在同一个芯片上，开关回路的面积能的减小，相对采用PWM控制芯片和功率管分离的方案来说，EMC性能会有很大的优势； 󰂋 无需采用高压启动电阻，可以有效的降低待机功耗，同时还可节省外围元件（高

压电阻），提高了安全性能（高压电阻的短路或不符合规范将可能烧坏控制芯片）； 󰂋 内置振荡器减少了外围器件(调节振荡器频率所用的电容或电阻)的数量和PCB版图的面积； 󰂋 VDD输入范围达到30v，在辅助线圈输出变化很大时，仍能保证电路正常工组，

无需使用特殊的钳位措施来限定VDD的变化。

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