N沟道40V功率MOSFET是一种专门设计用于处理较高电流和电压的场效应晶体管，其zui大漏源电压（Vds）为40V。这类MOSFET广泛应用于各种电源管理、电机驱动、负载切换以及其他需要高效能量转换和控制的应用中。

　　N沟道40V功率MOSFET：
　　100%雪崩测试
　　极低损耗，FOM Rdson*Qg低
　　符合RoHS标准，无卤素，无铅
　　AEC-Q101合格

　　MSL 1

　　应用程序：
　　汽车系统
　　电机、灯和电磁阀控制

　　超高性能电源切换

　　jue对zui大额定值（TJ=25°C，除非另有说明，单侧）:
　　漏极-源极电压：40V
　　栅源电压：±20V
　　漏极电流，连续VGS=10V：
　　TC=25°C:67A
　　TC=100°C:47A
　　脉冲漏极电流：268 A
　　单次雪崩能量：180 mJ
　　功耗：
　　TC=25°C:68W
　　TC=100°C:34W

　　工作接点和储存温度范围：5至+175°C

　　苏州固锝是国内半导体分立器件二极管行业完善、齐全的设计、制造、封装、销售的厂商，从前端芯片的自主开发到后端成品的各种封装技术，形成了一个完整的产业链。主要产品包括zui新封装技术的无引脚集成电路产品和分立器件产品、汽车整流二极管、功率模块、整流二极管芯片、硅整流二极管、开关二极管、稳压二极管、微型桥堆、军用熔断丝、光伏旁路模块等共有50多个系列，1500多个品种。产品广泛应用在航空航天、汽车、绿色照明、IT、家用电器以及大型设备的电源装置等许多领域。设计、研发太阳能电池用银浆以及各种电子浆料，研发并规模化生产物联网领域各种新型传感器。

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类型：生产制造商

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