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晶体三级管STP26NM60N 600V 20A TO-220 原装现货

供应晶体三级管STP26NM60N 600V 20A TO-220 原装现货
供应晶体三级管STP26NM60N 600V 20A TO-220 原装现货
  • 型号/规格:

    STP26NM60N

  • 品牌/商标:

    ST(意法半导体)

  • 封装形式:

    TO-220

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    管件

  • 功率特性:

    中功率

  • 极性:

    其他

  • PDF资料:

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普通会员
  • 企业名:深圳市瑞祺芯科技有限公司

    类型:

    电话: 0755-28892389
    0755-28892389
    13590212885

    手机:13713856319

    联系人:李小姐/孟小姐/孟先生

    QQ: QQ:2639752116QQ:1668697665

    邮箱:szsrqxhj@163.com

    地址:广东深圳深圳市福田区新亚洲电子商城:办公室:华强北振兴路振华大院华康大厦2栋210室

商品信息

STMicroelectronics- STMicroelectronics 是一家独立的全球化半导体公司,也是微电子应用领域中半导体解决方案开发和供应的。

凭借在硅晶和系统知识、强大的制造能力、知识产权 (IP) 组合以及战略合作伙伴等多方面无与伦比的组合,公司一直处于片上系统 (SoC) 技术领域的前沿,并使其产品在推动当今大融合趋势的过程中发挥关键作用

品牌:    STM

型号:      STP26NM60N

描述  

MOSFET N-CH 600V

20A TO-220


详细描述       通孔 N 沟道 pval(2068) 20A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB

参数资料

数据列表       STB,F,P26NM60N;

管装     50/PCS一管

  


类别   分立半导体产品

产品族          晶体管 - FET,MOSFET - 单

系列   MDmesh™ II

规格

FET 类型      N 沟道

技术   MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)   600V

电流

- 连续漏极(Id)(25°C 时)      20A(Tc)

驱动电压( Rds On, Rds On)       10V

不同

Id,Vgs 时的 Rds On(值)  165 毫欧 @ 10A,10V

不同

Id 时的 Vgs(th)(值)       4V @ 250μA

不同

Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值)     60nC @ 10V

Vgs(值)        ±30V

不同

Vds 时的输入电容(Ciss)(值)      1800pF @ 50V

FET 功能      -

功率耗散(值)          140W(Tc)

工作温度       150°C(TJ)

安装类型       通孔

供应商器件封装       TO-220AB

封装/外壳     TO-220-3

联系方式

企业名:深圳市瑞祺芯科技有限公司

类型:

电话: 0755-28892389
0755-28892389
13590212885

手机:13713856319

联系人:李小姐/孟小姐/孟先生

QQ: QQ:2639752116QQ:1668697665QQ:3272088389

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地址:广东深圳深圳市福田区新亚洲电子商城:办公室:华强北振兴路振华大院华康大厦2栋210室

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