STP26NM60N
ST(意法半导体)
TO-220
无铅环保型
直插式
管件
中功率
其他
企业名:深圳市瑞祺芯科技有限公司
类型:
电话:
0755-28892389
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13590212885
手机:13713856319
联系人:李小姐/孟小姐/孟先生
邮箱:szsrqxhj@163.com
地址:广东深圳深圳市福田区新亚洲电子商城:办公室:华强北振兴路振华大院华康大厦2栋210室
STMicroelectronics- STMicroelectronics 是一家独立的全球化半导体公司,也是微电子应用领域中半导体解决方案开发和供应的。
凭借在硅晶和系统知识、强大的制造能力、知识产权 (IP) 组合以及战略合作伙伴等多方面无与伦比的组合,公司一直处于片上系统 (SoC) 技术领域的前沿,并使其产品在推动当今大融合趋势的过程中发挥关键作用
品牌: STM
型号: STP26NM60N
描述
MOSFET N-CH 600V
20A TO-220
详细描述 通孔 N 沟道 pval(2068) 20A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB
参数资料
数据列表 STB,F,P26NM60N;
管装 50/PCS一管
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 MDmesh™ II
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600V
电流
- 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On) 10V
不同
Id,Vgs 时的 Rds On(值) 165 毫欧 @ 10A,10V
不同
Id 时的 Vgs(th)(值) 4V @ 250μA
不同
Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 60nC @ 10V
Vgs(值) ±30V
不同
Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 1800pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散(值) 140W(Tc)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
企业名:深圳市瑞祺芯科技有限公司
类型:
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