SISH615ADN-T1-GE3 集成电路IC 介绍：
产品种类:MOSFET
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PowerPAK1212-8
通道数量:1 Channel
晶体管极性:P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:20 V
Id-连续漏极电流:35 A
Rds On-漏源导通电阻:4.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:12 V
Vgs th-栅源极阈值电压:- 1.5 V
工作温度:- 55 C
工作温度:+ 150 C

SISH615ADN-T1-GE3 集成电路IC 新闻资料：
      威世硅尼克斯 TrenchFET® 第四代 N 沟道 MOSFET 是威世新一代 TrenchFET®系列 N 沟道 MOSFET。这些新器件采用新的高密度设计，SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP、SiSA04DN 具有业界较低导通电阻（在 4.5V 下低至 1.35 mΩ）和低总栅极电荷，采用 PowerPAK® SO-8 和 1212-8封装。 特性包括极低 RDS(on)，这转化为更低导通损耗，从而降低功耗；非常低的 Qdg/Qgs 比例：0.5 或更低；节省空间的 PowerPAK® 1212-8 封装，以三分之一的大小实现了相近效率。典型应用有大功率直流-直流转换器、同步整流、同步降压转换器或 OR-ing。

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：
公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、ATMEL(特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip）、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel）、安捷伦;
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SISH615ADN-T1-GE3 集成电路IC 产品图片：

SISH615ADN-T1-GE3 集成电路IC 工作电路图：

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