制造商:	Cree, Inc.
产品种类:	MOSFET
RoHS:	详细信息
技术:	SiC
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TO-263-7
通道数量:	1 Channel
晶体管极性:	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1700 V
Id-连续漏极电流:	5.3 A
Rds On-漏源导通电阻:	1 Ohm
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.1 V
Qg-栅极电荷:	13 nC
工作温度:	+ 150 C
封装:	Tube
通道模式:	Enhancement
商标:	Wolfspeed / Cree
下降时间:	40.4 ns
高度:	4.435 mm
长度:	10.18 mm
工作温度:	- 55 C
上升时间:	4.8 ns
工厂包装数量:	1000
典型关闭延迟时间:	10.8 ns
典型接通延迟时间:	4 ns
宽度:	9.075 mm
单位重量:	1.600 g

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