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STW11NM80

STW11NM80
STW11NM80
  • 型号/规格:

    STW11NM80

  • 品牌/商标:

    ST

  • 漏源极电压(Vdss)\t:

    800V

  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):

    \t11A(Tc)

  • 驱动电压( Rds On, Rds On)\t:

    10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(值):

    \t5V @ 250μA

普通会员
  • 企业名:深圳市海睿芯电子科技有限公司

    类型:经销商

    电话: 0755-83226739

    手机:18824622340

    联系人:唐华勇

    QQ: QQ:3271272066

    邮箱:hairuixin_02tang@163.com

    地址:广东深圳上步工业区501栋413

产品分类
商品信息

半导体分立器件泛指半导体晶体二极管、半导体三极管简称二极管、三极管及半导体特殊器件。

规格

FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 800V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 43.6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 1630pF @ 25V
Vgs(值) ±30V
FET 功能 -
功率耗散(值) 150W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 400 毫欧 @ 5.5A,10V
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247-3
封装/外壳 TO-247-3

联系方式

企业名:深圳市海睿芯电子科技有限公司

类型:经销商

电话: 0755-83226739

手机:18824622340

联系人:唐华勇

QQ: QQ:3271272066

邮箱:hairuixin_02tang@163.com

地址:广东深圳上步工业区501栋413

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