FIR110N08RG TO-263-2L 贴片MOS管 80VN沟道增强型功率MOSFET

贴片MOS管 FIR110N08RG的产品应用：

• 功率切换应用程序
• 高频电路
• 不间断电源

贴片MOS管 FIR110N08RG的极限值：

• V_DSS：80V
• V_GS：±20V
• I_D：105A
• I_DM：420A
• P_D：200W
• E_AS：800mJ
• T_J,T_stg：-55~+175℃

贴片MOS管 FIR110N08RG的电特性：

参数	符号	值	典型值	值	单位
漏极-源极击穿电压	BVDSS	80	86		V
零栅压漏极电流	IDSS			1	μA
栅极漏电流	IGSS			±100	nA
栅极开启电压	VGS(TH)	2	3	4	V
静态漏源导通电阻	RDS(ON)		6.3	8	mΩ
正向跨导	gfs	80			S
输入电容	Ciss		4900		pF
输出电容	Coss		410
反向传输电容	Crss		315
开启延迟时间	td(on)		20		nS
开启上升时间	tr		19
关断延迟时间	td(off)		70
关断下降时间	tf		30
栅源电荷密度	Qgs		24		nC
栅漏电荷密度	Qgd		49

企业名：东莞市宇芯电子有限公司

类型：贸易/代理/分销

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