P1800SB
CQS
2500
170
企业名:深圳市诚谦顺电子有限公司
类型:原厂制造商
电话:
0755-29837982
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手机:15889645839
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联系人:刘良顺/黄佳瑶/黄文真
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地址:广东深圳深圳市龙华区龙华街道富泉新村APM商务大厦
∟ 整流二极管(5)∟ 桥堆/整流桥/桥式整流器(4)∟ 快/超快/特快恢复二极管(1)∟ 瞬态(变)抑制二极管(728)∟ ESD静电二极管(544)∟ 肖特基二极管(11)
在电路保护中,半导体放电管因其优越的性价比被广泛认可,该类器件适用于通讯系统一、二级的防雷击浪涌、防静电、防EMI干扰等保护,产品广泛用于:电话机、传真机、Modem、XDSL终端、程控交换机局端设备、T1/E1接口、仪器仪表、及其配线架、RS485/232数据线、以太网交换机、CATV设备、安防产品、远程监控、远程抄表等产品中。
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半导体放电管的选型要点:
1、瞬间峰值电流IPP必须大于通讯设备标准的规定值。如FCC Part68A类型的IPP应大于100A;Bellcore 1089的IPP应大于25A。
2、转折电压VBO必须小于被保护电路所允许的瞬间峰值电压。
3、半导体放电管处于导通状态(导通)时,所损耗的功率P应小于其额定功率Pcm,Pcm=KVT*IPP,其中K由短路电流的波形决定。对于指数波,方波,正弦波,三角波K值分别为1.00,1.4,2.2,2.8。
4、反向击穿电压VBR必须大于被保护电路的工作电压。如在POTS应用中,振铃电压(150V)的峰值电压(150*1.41=212.2V)和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V,所以应选择VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中,DC电压(150V)和信号电压(3V)之和为153V,所以应选择VBR大于153V的器件。
5、若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位,器件的维持电流IH必须大于系统所能能提供的电流值。即:IH(系统电压/源阻抗)。
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