Digi-Key 零件编号 SI5475DC-T1-E3-N
制造商
Vishay Siliconix
制造商零件编号
SI5475DC-T1-E3
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 停產
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.5A（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 1.8V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 450mV @ 1mA（）
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 29nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） -
Vgs（值） ±8V
FET 功能 -
功率耗散（值） 1.3W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 31 毫欧 @ 5.5A，4.5V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 1206-8 ChipFET™
封装/外壳 8-SMD，扁平引线
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