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安富利到货通知IDT70V3379S4BF集成电路IC

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产品分类
商品信息 更新时间:2017-12-18

 检查提前期
制造商
IDT, Integrated Device Technology Inc
制造商零件编号
70V3379S4BF8
描述 IC SRAM 576KBIT 4.2NS 208CABGA
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 3(168 小时)
制造商标准提前期 10 周
详细描述 SRAM - 双端口,同步 存储器 IC 576Kb (32K x 18) 并联 4.2ns 208-CABGA(15x15类别 集成电路(IC)
存储器
制造商 IDT, Integrated Device Technology Inc
系列 -
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 在售
存储器类型 易失
存储器格式 SRAM
技术 SRAM - 双端口,同步
存储容量 576Kb (32K x 18)
写周期时间 - 字,页 -
访问时间 4.2ns
存储器接口 并联
电压 - 电源 3.15 V ~ 3.45 V
工作温度 0°C ~ 70°C(TA)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 208-LFBGA
供应商器件封装 208-CABGA(15x15)
基本零件编号 IDT70V3379


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特斯拉models 90D与比亚迪新e6电池容量相当,整备质量相当,但是续航里程特斯拉明显优于比亚迪,这其中凸显了BMS在电池管理的重要性。有差距则意味着国内BMS企业仍存在发展机遇,在动力电池行业格局已经确立的情况下,投资初创电池生产企业无疑是风险远大于收益,但是在BMS领域或将迎来新一轮投资热潮,抓住机遇、掌握领先技术成为吸引投资的重要筹码

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