Digi-Key 零件编号 FDC604PTR-ND
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制造商
ON Semiconductor
制造商零件编号
FDC604P
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench®
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.5A（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 1.8V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 30nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 1926pF @ 10V
Vgs（值） ±8V
FET 功能 -
功率耗散（值） 1.6W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 33 毫欧 @ 5.5A，4.5V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SuperSOT™-6

封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

TOP2泰尔集团：100亿建新能源汽车全产业链项目


2017年 10月8日，由泰尔集团、新海宜科技集团、海澜集团等企业共同发起成立泰能新能源汽车全产业链项目。该项目于2017年7月18日正式签约，计划总投资100亿元，分成三个相对独立的子项目分期实施，建成后将实现年产值约500亿元。首期安徽泰能新能源电池生产基地项目计划投资50亿元，主要建设三元锂电池生产线，预计于2018年3月投产

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