制造商

Infineon Technologies

制造商零件编号

IPG20N06S2L65AATMA1

描述 MOSFET 2N-CH 8TDSON

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 26 周

详细描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 20A 43W Surface Mount PG-TDSON-8-10

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造商 Infineon Technologies

系列 汽车级，AEC-Q101，OptiMOS™

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 2 个 N 沟道（双）

FET 功能 逻辑电平门

漏源电压（Vdss） 55V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 65 毫欧 @ 15A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2V @ 14μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 12nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 410pF @ 25V

功率 - 值 43W

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 8-PowerVDFN

供应商器件封装 PG-TDSON-8-10

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