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SI4840DY-T1-E3分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单

供应SI4840DY-T1-E3分立半导体产品	 晶体管 - FET,MOSFET - 单
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产品分类
商品信息

零件编号 SI4840DY-T1-E3TR-ND
现有数量
制造商
Vishay Siliconix
制造商零件编号
SI4840DY-T1-E3
描述 MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
详细描述 表面贴装 N 沟道 40V 10A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO


类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 TrenchFET®
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 停產
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta)
驱动电压( Rds On, Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 28nC @ 5V
Vgs(值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(值) 1.56W(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 9 毫欧 @ 14A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-SO
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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华为和中兴并没有就这一事态对财经记者做出回应,但在此前在华为消费者BG余承东的演讲中,他表示华为将继续为美国消费者提供产品。而中兴通讯终端CEO程立新也在CES现场对财经记者表示,美国市场是一个非常广大的市场,电信的市场在不断演进,需要一个长期的坚持投入和不放弃。

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