BSP297H6327XTSA1

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PG-SOT-223-4

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 200 V

Id-连续漏极电流: 660 mA

Rds On-漏源导通电阻: 1.8 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 800 mV

Qg-栅极电荷: 12.9 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 1.8 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 1.6 mm  

长度: 6.5 mm  

系列: BSP297  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 3.5 mm  

商标: Infineon Technologies  

正向跨导 - 最小值: 470 mS  

下降时间: 19 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 3.8 ns  

工厂包装数量: 1000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 49 ns  

典型接通延迟时间: 5.2 ns  

零件号别名: BSP297 H6327 SP001058622  

单位重量: 112 mg

BSP297H6327XTSA1

BSP297H6327XTSA1

BSP297H6327XTSA1

金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。 [1]  MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称上包括NMOS、PMOS等。

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