雪崩二极管/BYG23T-M3/TR 编带

雪崩二极管

反向恢复时间：75ns

平均整流电流IF：1A

正向压降VF：1.9V @ 1A

雪崩二极管是利用半导体结构中载流子的碰撞电离和渡越时间两种物理效应而产生负阻的固体微波器件。PN结有单向导电性，正向电阻小，反向电阻很大。 当反向电压增大到一定数值时，反向电流突然增加。就是反向电击穿。它分雪崩击穿和齐纳击穿(隧道击穿)。

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