2SK343介绍:

描述 MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

详细描述 通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 1.5W（Ta），84W（Tc） TO-220AB

类别 半导体分立器件

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Renesas Electronics America

系列 -

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 4V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 7.3 毫欧 @ 40A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） -

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 50nC @ 10V

Vgs（值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 2800pF @ 10V

FET 功能 -

功率耗散（值） 1.5W（Ta），84W（Tc）

工作温度 150°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-220AB

封装/外壳 TO-220-3

艾睿（深圳）实业有限公司介绍:

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导体分立器件制造行业竞争的不断加剧，大型半导体分立器件制造企业间并购整合与资本运作日趋频繁，国内的半导体分立器件制造企业愈来愈重视对行业市场的研究，特别是对企业发展环境和客户需求趋势变化的深入研究。半导体分立器件制造，指单个的半导体晶体管构成的一个电子元件的制造。

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