MT40A256M16GE-083E:B介绍:

描述 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 3（168 小时）

详细描述 SDRAM - DDR4 存储器 IC 4Gb （256M x 16） 并联 1.2GHz 96-FBGA（14x9）

类别 集成电路（IC）

存储器

制造商 Micron Technology Inc.

系列 -

包装 ? 托盘 ?

零件状态 在售

存储器类型 易失

存储器格式 DRAM

技术 SDRAM - DDR4

存储容量 4Gb （256M x 16）

时钟频率 1.2GHz

写周期时间 - 字，页 -

存储器接口 并联

电压 - 电源 1.14 V ~ 1.26 V

工作温度 0°C ~ 95°C（TC）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 96-TFBGA

供应商器件封装 96-FBGA（14x9）

艾睿（深圳）实业有限公司介绍:

艾睿（深圳）实业有限公司与世界各品牌生产厂商、国外代理商密切合作，提供直接的货源、减少产品的流通环节，

降低运营成本。目前为 TI(德州仪器)、ST（意法半导体）、ADI（亚德诺半导体）、

INFINEON（英飞凌）、IR（国际整流器）、ON（安森美）、MPS（芯源半导体） 等等，

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艾睿（深圳）实业有限公司是一家代理和分销世界各类品牌IC及电子元器件的高新技术性公司。

于2013年在深圳成立并申请为一般纳税人企业，为客户提供16%的增值税票，开拓终端工厂市场，

提供的电子元件配套服务!                

地址：深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室

由于在现实中电容会有漏电的现象，导致电位差不足而使记忆消失，因此除非电容经常周期性地充电，否则无法确保记忆长存。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”存储器。相对来说，“静态”存储器只要存入数据后，纵使不刷新也不会丢失记忆。

企业名：艾睿（深圳）实业有限公司

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