型号：K4T51163QG-HCE7

制造商: SAMSUNG

产品种类: 动态随机存取存储器

数据总线宽度: 16 bit

组织: 32 M x 16

封装 / 箱体: BGA-84

存储容量: 512 Mbit

时钟频率: 400 MHz

访问时间: 2.5 ns

电源电压-: 1.9 V

电源电压-: 1.7 V

电源电流—值: 135 mA

安装风格: SMD/SMT  

工作电源电压: 1.8 V  

特征

•VDD=1.8V±0.1V，VDDQ=1.8V±0.1V

•jedec标准1.8V I/O（与sstl_18兼容）

•双数据速率接口：两次数据传输每时钟周期

•差分数据选通（DQ、DQ）

•4位预取架构

•片内动态链接库，用于对齐DQ和DQ转换用CK

•4家内部银行同时运营

•可编程CAS延迟（cl）3、4、5和6支持

•发布的CA和可编程的附加延迟

（al）支持0、1、2、3、4和5

•写入延迟=读取延迟-1 tck

•可编程脉冲长度：4或8

•可调数据输出驱动强度，全和强度降低选项

•模具终止（ODT）

说明

ISSIs 512MB DDR2 sDram uses a double - data - rate

liar Pabir Cs Cabs Labir Cs Cabs Us Cabs Us Cabs Cs Us Cabs C的

双数据率结构，基本上是4N - PREFETET。

结构，与一个接口设计

Data words per clock cycle at the I / O Balls

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