FDMS86200  FDMS86200  FDMS86200

制造商:ON Semiconductor产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:DualCool-56-8通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:150 VId-连续漏极电流:52 ARds On-漏源导通电阻:15 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:20 VVgs th-栅源极阈值电压:4 VQg-栅极电荷:33 nC工作温度:- 55 C工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:104 W配置:Single商标名:PowerTrench封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel高度:1.1 mm 长度:6 mm 系列:FDMS86200 晶体管类型:N-Channel 类型:N-Channel Power Trench MOSFET 宽度:5 mm 商标:ON Semiconductor / Fairchild 正向跨导 - 值:33 S 下降时间:5.8 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:7.9 ns 工厂包装数量:3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:27 ns 典型接通延迟时间:13 ns 单位重量:68.100 mg

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