STMicroelectronics
IGBT
Through Hole
600
Single集电极—发射极
企业名:深圳市芯晔微电子有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话: 0755-83232892
手机:13510746555
联系人:林小姐
邮箱:connie@xinyewei.net
地址:广东深圳深圳市龙岗区雅宝路1号星河WORLD B栋 大厦14层B1401A,B1401B
STGWA15H120DF2 STGWA15H120DF2 STGWA15H120DF2
制造商:STMicroelectronics产品种类:IGBT 晶体管技术:Si安装风格:Through Hole配置:Single集电极—发射极电压 VCEO:1200 V集电极—射极饱和电压:2.5 V栅极/发射极电压:20 V在25 C的连续集电极电流:30 APd-功率耗散:259 W工作温度:- 55 C工作温度:+ 175 C系列:STGWA15H120DF2商标:STMicroelectronics 集电极连续电流:15 A 栅极—射极漏泄电流:+/- 250 nA 产品类型:IGBT Transistors 工厂包装数量:600 子类别:IGBTs
企业名:深圳市芯晔微电子有限公司
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