STP14NM50N  STP14NM50N  STP14NM50N

制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:500 VId-连续漏极电流:12 ARds On-漏源导通电阻:280 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:2 VVgs th-栅源极阈值电压:4 VQg-栅极电荷:42 nC工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:90 W配置:Single商标名:MDmesh封装:Tube系列:STP14NM50N 晶体管类型:N-Channel 类型:MDmesh II Power MOSFET 商标:STMicroelectronics 下降时间:32 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:9 ns 工厂包装数量:1000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:12 ns 典型接通延迟时间:15 ns 单位重量:330 mg

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