MJD45H11T4  MJD45H11T4  MJD45H11T4

制造商:STMicroelectronics产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)RoHS: 详细信息 安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:PNP配置:Single集电极—发射极电压 VCEO:80 V集电极—基极电压 VCBO:80 V发射极 - 基极电压 VEBO:5 V集电极—射极饱和电压:1 V直流电集电极电流:16 APd-功率耗散:20 W工作温度:- 55 C工作温度:+ 150 C系列:MJD45H11封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel高度:2.4 mm 长度:6.6 mm 技术:Si 宽度:6.2 mm 商标:STMicroelectronics 集电极连续电流:8 A 直流集电极/Base Gain hfe Min:60 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors 工厂包装数量:2500 子类别:Transistors 单位重量:1.800 g

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