存储类芯片功能描述

    DDR3SDRAM采用双数据速率架构实现高速运行。

    双数据速率体系结构是一种8N预取体系结构，设计了一个接口在I/O管脚处，每个时钟周期传输两个数据字。读或写DDR3 SDRAM的操作有效地由一个8N位宽、四个时钟周期组成。

    内部DRAM内核和八个相应的n位宽半时钟周期的数据传输I/O管脚处的数据传输。

    差分数据选通（dqs，dqs）与数据一起对外传输，用于用于DDR3 SDRAM输入接收器的数据捕获。DQ与数据居中对齐用于写入。读取数据由DDR3 SDRAM传输，边缘与数据频闪灯。

    DDR3 SDRAM通过差分时钟（CK和CK）工作。CK的穿越上升和下降被称为CK的正边缘。控制，指挥，在CK的每一个正边缘都记录了地址信号。输入数据已注册在写前导码后的dqs的第一上升沿上，参考输出数据在读前导码后的第一个dqs上升沿。

    对DDR3SDRAM的读写访问是面向突发的。访问从选定的开始定位并继续编程中的多个位置顺序。访问从注册activate命令开始，即然后是读或写命令。注册的地址位与激活命令用于选择要访问的银行和行。地址与读或写命令同时注册的位用于选择突发访问的银行和起始列位置。

    该设备使用读写BL8和BC4。自动预充电功能可能是能够提供在脉冲结束时启动的自动定时行预充电访问。

    与标准DDR SDRAM一样，DDR3 SDRAM的流水线多银行体系结构允许并发操作，从而通过隐藏行预充电提供高带宽以及激活时间。

    提供了自刷新模式以及节能、断电模式。

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    存储类芯片DDR3 Part Numbers

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    存储类芯片工业温度

    工业温度（IT）装置要求外壳温度不超过-40°C或95°C。当tc超过时，jedec规范要求刷新率加倍。

    85°C；这还需要使用高温自刷新选项。此外，当tc<0°C或>95摄氏度。

    一般注意事项本数据表中讨论的功能和定时规范适用于DLL启用操作模式（正常操作）。

    各种数字和文本均将DQ称为“DQ”。DQ将除非另有明确说明，否则解释为任何和所有DQ。

    术语“dqs”和“ck”应解释为Dqs、Dqs和CK、CK_，除非另有特别说明。

    2GB:x4、x8、x16 DDR3 SDRAM

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    公司介绍

    深圳振华航空半导体有限公司是集电子元器件营销和技术开发，技术咨询、信息服务等为一体的高科技企业，有着多年半导体市场营销及推广经验，振华航空集团创建于2004年，公司总部位于香港，在深圳、广州、上海、美国等电子市场设有办事处和分公司。

    公司秉承的一贯宗旨：原厂原装，品质保证，视信誉为生命，以客户为中心，并推行30天无条件退货,不设采购量限制，不用客户承担任何运费。

    现已成为亚太地区混合型电子元器件（授权或非授权）分销商，先后被国内研究所和国企评为“中国行业优质供应商”。

    本公司主营的产品有ALTERA、XILINX、ADI、SAMSUNG、ATMEL、NXP、TI、MAXIM、LINEAR、AOS、AVX、PANASONIC、ROHM、TOSHIBA、FAIRICHILD、ST、ON等。

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