eeprom存储器芯片编程模式和扩展模式寄存器

    对于应用程序灵活性、突发长度、突发类型、cas延迟、dll重置功能、写恢复时间（twr）是用户定义的变量，必须使用模式寄存器集（mrs）命令进行编程。

    此外，dll禁用功能、驱动程序阻抗、附加cas延迟、odt（在芯片终止时），单端频闪和ocd（片外驱动器阻抗调整）也是用户定义的变量必须使用扩展模式寄存器集（EMRS）命令进行编程。

    模式的内容寄存器（mr）或扩展模式寄存器（emr（））可以通过重新执行mrs和emr来更改命令。

    如果用户选择只修改mrs或emrs变量的一个子集，则所有变量必须在发出mrs或emrs命令时重新定义。

    emrs和reset dll不影响数组内容，这意味着重新初始化，包括在不影响数组内容的情况下，在通电后随时执行。

    （eeprom存储器芯片）DDR2 SDRAM模式寄存器集（MRS）

    模式寄存器存储用于控制ddr2 sdram的各种工作模式的数据。IT控制延迟、突发长度、突发序列、测试模式、dll重置、twr和各种特定于供应商的选项使DDR2 SDRAM对各种应用程序有用。

    模式寄存器的默认值不是因此，必须在通电后写入模式寄存器才能正常工作。模式寄存器是通过断言cs、ras、cas、we、ba0和ba1的低位来编写的，同时控制地址状态插脚a0~a12。

    DDR2 SDRAM应在所有银行预充，且在写入之前，CKE已高进入模式寄存器。完成写入需要模式寄存器设置命令周期时间（tmrd）模式寄存器的操作。

    可以使用相同的命令和正常运行期间的时钟周期要求，只要所有电池组都处于预充电状态。这个模式寄存器根据功能划分为不同的字段。突发长度由a0~a2定义具有4位和8位突发长度选项。

    突发长度解码与ddr sdram兼容。爆裂地址序列类型由a3定义，cas延迟由a4~a6定义。

    DDR2不支持半时钟延迟模式。A7用于测试模式。A8用于dll重置。A7必须设置为低才能正常工作。

    写入恢复时间twr由a9~a11定义。

    （eeprom存储器芯片）具体代码见表。

    （自动充电的写恢复）min由tck max确定，wr max由tck min确定。

    通过将twr（单位ns）除以tck（单位ns）并四舍五入到下一个整数来计算时钟周期中的（wr[周期]=twr（ns）/tck（ns））。模式寄存器必须编程为此值。这也用于确定TDAL的TRP。

    公司介绍：

    深圳振华航空半导体有限公司是集电子元器件营销和技术开发，技术咨询、信息服务等为一体的高科技企业，有着多年半导体市场营销及推广经验，振华航空集团创建于2004年，公司总部位于香港，在深圳、广州、上海、美国等电子市场设有办事处和分公司。

    公司秉承的一贯宗旨：原厂原装，品质保证，视信誉为生命，以客户为中心，并推行30天无条件退货,不设低采购量限制，不用客户承担任何运费。

    现已成为亚太地区混合型电子元器件（授权或非授权）分销商，先后被国内研究所和国企评为“中国行业优质供应商”。

    文化介绍

    振华航空的企业文化为“以人为本、诚信、务实、合作，奉献，创新，超越”。

    价值观

    振华航空以“为员工、客户创造大利益”为核心价值观，求实进取，不断创新，为企业和客户创造价值，为社会创造效益，经过多年不懈努力，形成了我们电子行业的四大优势：

    雄厚的技术实力

    贴心的客户服务

    严格的品质保证

    相比的价格优势

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