K4B2G1646E-BCH9存储器芯片报价主图

K4B2G1646E-BCH9存储器芯片报价参数

制造商IC编号K4B2G1646E-BCH9

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别DDR3 SDRAM

IC代码128MX16 DDR3

脚位/封装FBGA

外包装

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)1.5 V

温度规格0°C to +85°C

速度DDR3-1333

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

K4B2G1646E-BCH9存储器芯片报价相关信息

1、独立的防雷保护接地电阻应小于等于10欧；

2、独立的安全保护接地电阻应小于等于4欧；

3、独立的交流工作接地电阻应小于等于4欧；

4、独立的直流工作接地电阻应小于等于4欧；

5、防静电接地电阻一般要求小于等于100欧。

6共用接地体（联合接地）应不大于接地电阻1欧。

1、交流工作接地时，接地电阻不应大于4Ω；

2、安全工作接地时，接地电阻不应大于4Ω；

3、直流工作接地，接地电阻应按系统的要求确定；

4、防雷保护地的接地电阻不应大于10Ω；

5、对于屏蔽系统，接地电阻不应大于1Ω。

大电流接地系统的接地电阻应符合R≤2000/IΩ，当I》4000A时可取R≤0.5Ω。

小电流接地系统当用于1000V以下设备时，接地电阻应符合R≤125/IΩ，当用于1000V以上设备时，接地电阻R≤250/IΩ电阻，任何情况下不应大于10欧。

接地工艺要求：

1、所有接地引下线均要求实现明接地，且每根接地引下线均应符合热稳定校核的要求;有双接地要求的两根接地引下线应分别与主地网的不同干线可靠连接。

2、独立避雷针、安装有避雷针的构架（含悬挂避雷线的构架）的双接地引下线要求每根设置断接卡，断接卡设置位置必须方便打开且全站统一高度，以离地面或保护帽顶面500mm高为宜。

3、设备支架、基座三相之间独立且要求每相双接地的设备和主变中性点设备可以只在入地处采用两根接地线引下实现双接地。

4、钢构支架等自然接地体之间采用法兰盘或螺栓连接时，电气上视为不可靠连接，应增加跨接接地线。

5、钢构支架作为自然接地体时，接地引下线与钢构支架应采用螺栓连接，但必须保证螺栓连接处方便打开并和全站的断接卡高度一致，以离地面或保护帽顶面500mm高为宜。

6、接地采用螺栓连接时应采用热镀锌螺栓。并采用防松垫片或防松螺母，螺栓连接的接触面和螺栓数量、规格应执行现行国家标准《电气装置安装工程母线装置施工及验收规范》（GBJ149）的规定。

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