K9G8G08UOA-PCBODDR内存主图

K9G8G08UOA-PCBODDR内存参数

制造商IC编号K9G8G08UOA-PCBO

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码1GX8 NAND MLC

脚位/封装TSOP

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)2.7V-3.6V

温度规格0°C to +85°C

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用LED APPLICATION/LED應用

K9G8G08UOA-PCBODDR内存相关信息

中国是半导体消费市场    从服务器需求端来看，尽管出货量增速较低，但单机容量却在迅速上升

。据 DRAMeXrange 估计，2018 年服务器平均内存装载量已达到 145GB，预计到 2021 年标准型服务器的 DRAM 平均容量将达到 366GB，CAGR 将达 26％。  此外，数据中心、深度学习等特殊需求的服务器的高速增长也将带动服务器领域对 DRAM 需求的增长。

 据 DRAMeXchange 统计，平均一座 IDC 可容纳约 8000 至 15000 个服务器机架， 而一个机架可搭载 4 台以上不同尺寸的服务器，据估算将拉动 1000 万 GB 至 200 万 GB 的服务器 DRAM 位元需求。 全球服务器出货量增长稳定    因此，国泰君安电子团队认为，未来云服务和大数据等应用带来的服务器 DRAM 需求将成为 DRAM 市场未来的强大增长动力。据 DRAMeXchange 统计，2018 年 DRAM 需求增提增长 22.3％，其中服务器应用连续两年保持快增速。DRAM 需求年增速稳定在以上 20％  

  从供给端看，随着 DRAM 工艺推进放缓，供给增速整体放缓，产能波动基本稳定。 产能方面，DRAM 位元供给的增长来源以工艺进步带来的密度提升为主，以产能扩张带来的投片量提升为辅。但是近年来 DRAM 在进入 20nm 制程以后，制程提升开始遇到瓶颈，主流厂商出于成本和研发难度的考虑，对 1Xnm 及以下制程的开发应用比较谨慎。

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