K9K8G08U0A-PCB0ddr笔记本内存价格主图

K9K8G08U0A-PCB0ddr笔记本内存价格参数

制造商IC编号K9K8G08U0A-PCB0

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码1GX8 NAND SLC

脚位/封装TSOP

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)2.7V-3.6V

温度规格0°C to +85°C

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用MP3 /MP4 /MP5 PLAYERTELEPHONE/ANSWER MACHINE/電話/答錄機

K9K8G08U0A-PCB0ddr笔记本内存价格相关性芯

分类

为了应对物联网以及存算一体的应用需求，各种新型的、传统的存储技术和器件纷纷登场，想在这些新兴应用方面尽量地施展出自己的才华。

过去 50 年中，SRAM、DRAM 和 Flash 已经成为存储器的主力，这些存储结构在往更小的几何结构微缩的过程中都存在问题，很重要的原因在于它们都是平面结构，而新的存储技术，如基于电阻开关的存储技术是金属层结构，消除了许多制造问题。然而，由于 DRAM 和 Flash 技术已经非常成熟，成本又很低。所以，它们在存算一体方面依然有独到的优势，也正在被一些企业所采用

目前来看，新型的存储技术主要包括相变存储器（PCM）、铁电存储器（FeRAM）、磁阻 RAM（MRAM）、电阻 RAM（RRAM 或 ReRAM）、自旋转移力矩 RAM（STT－RAM）、导电桥 RAM（CBRAM），以及氧化物电阻存储器（OxRAM）等。基于这些的存算一体研究或多或少地都在进行着，相应的成果也经常见诸于报端。以上这些都是新技术，目前来看，它们的主要问题就是成本，以及生态系统的完整度，还需要一些发展时间才能成气候。

而从存储与计算的结合方式来看，存算一体又可以分为两大类：一是在 DRAM 中植入逻辑计算单元，被称为内存内处理或者近数据计算，这种方式非常适合云端的大数据和神经网络训练等应用；二是存储和计算完全结合在一起，存储器件也即计算单元，如采用基于 NOR 闪存架构的存算一体 AI 芯片，其主要特点是能耗低、运算效率高、速度快且成本低，这种形式比较适合边缘侧的神经网络推理等应用。

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