K9HCG08U1D-PIB0手机用存储芯片主图

K9HCG08U1D-PIB0手机用存储芯片参数

制造商IC编号K9HCG08U1D-PIB0

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码8gx8 nand mlc

脚位/封装TSOP

外包装

无铅/环保含铅

电压(伏)2.7V-3.6V

温度规格-40°~+85°C(IND)

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

K9HCG08U1D-PIB0手机用存储芯片相关信息

市场曾预计，三星季度营业利润料两年来首次下降，因关键市场——中国的经济放缓可能会影响对该公司产品的需求。一位分析师表示，中国占全球消费技术需求的 20％至 30％。而此前，苹果也调降季度营收预估，将之归咎于中国。

虽然三星以智能手机及电视业务为出名，但其近来的净利增长已经严重依赖芯片业务。自 2017 年第三季度起，三星已连续数季度成为全球芯片出货量的企业。

早在去年 11 月，三星发布 2018 年三季报时便预计，芯片市场在今年第四季度将出现“季节性疲软”，这期间公司盈利有下降的可能性。为此，三星将会调整工厂和设备的支出，同时对芯片价格进行监控。

西部数据、美光、SK 海力士纷纷减少投资

三星电子并非承认存储芯片需求低迷的企业。

除三星外，西部数据、美光、SK 海力士等也都预计今年内存 DRAM 和闪存 NAND 需求将减弱。上述公司纷纷调整产出量、减缓投资计划，下调资本支出等，以“弥补损失”。

率先做出反应的是西部数据，该公司表示要减少 Fab（晶圆厂）的产出，并减缓下一步的扩产计划，以缓解需求疲软和跌价带来的运营压力。

而美光公司在发布 2019 财年一季度财报时称，今年 DRAM 和 NAND 需求将减弱，其第二财季营收预计为 57 亿到 63 亿美元之间，低于华尔街分析师预期的 73 亿美元。股票收益预计为 1.65 美元 / 股至 1.85 美元 / 股，也低于市场预期。

ZACKS 投资网站称，上述公司总裁 Sanjay Mehrotra 在随后的电话会议上表示，DRAM 需求疲软是美光公司降低第二季度预期的主要原因之一。同时，为解决供过于求的问题，该公司将减少 NAND 及 DRAM 产量以维持价格。其中，主要减少的是汽车、智能手机以及数据中心等市场上的存储芯片产能。

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