H5TQ2G63FFR-PBC存储芯片经销商热卖主图

H5TQ2G63FFR-PBC存储芯片经销商热卖参数

制造商IC编号H5TQ2G63FFR-PBC

厂牌SK HYNIX/海力士

IC 类别DDR3 SDRAM

IC代码128MX16 DDR3

脚位/封装FBGA-96

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)1.5 V

温度规格0°C to +85°C

速度1600 MHZ

标准包装数量1600

标准外箱

潜在应用LED APPLICATION/LED應用SATELLITE SYSTEM / SET-TOP-BOX/卫星系统/机頂盒SMART TV/MONITOR/TFT/LCD TV-MAKER/顯示器/智能電視製造商

H5TQ2G63FFR-PBC存储芯片经销商热卖相关信息

MAXQ架构是一种基于标准Harvard结构、功能强大的单周期RISC微控制器，程序和数据存储总线相互独立。这种组织形式要求每个存储器具有专用总线(图1)，所以可同时读取指令和操作数。由于不存在单条数据总线的冲突问题，MAXQ指令的执行时间仅需要单个周期。

每个MAXQ器件采用以下存储器类型：闪存SRAM固定用途ROMMAXQ器件也可从闪存、固定用途ROM或SRAM执行程序代码。从某个存储器段执行程序代码时，其它两个存储器段可作为数据存储器(更多详细信息，请参阅从闪存执行程序和执行固定用途ROM函数部分)。这是因为程序和数据存储器总线不能同时存取同一存储器段。

有人可能认为采用Harvard结构的MAXQ微控制器也不能在非易失闪存中储存数据。然而，MAXQ器件内嵌固定用途ROM函数，允许读、写非易失闪存数据。从闪存执行程序MAXQ器件中，从闪存执行应用程序时，数据存储器为SRAM (读和写)和固定用途ROM (只读)。从闪存执行代码时，数据存储器映射请参见表1，存储器映射参见图2。SRAM数据存储器在存储器映射中位于地址0x0000至0x07FF (字节寻址模式下)或地址0x0000至0x03FF (字寻址模式下)。

固定用途ROM在存储器映射中位于地址0x8000至0x9FFFh (字节模式)或地址0x8000至0x8FFF (字寻址模式下)。表1. 从闪存执行应用代码时的数据存储器。

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