K4T51163QQ-BCE7闪存芯片主图

K4T51163QQ-BCE7闪存芯片参数

制造商IC编号K4T51163QQ-BCE7

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别DDR2 SDRAM

IC代码32MX16 DDR2

脚位/封装FBGA

外包装

无铅/环保含铅

电压(伏)1.8 V

温度规格0°C to +85°C

速度800 MHZ

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

K4T51163QQ-BCE7闪存芯片相关信息

mov压敏电阻作为一种非线性特性的电阻元器件，在受到不同电压的情况下，压敏电阻的工作方式会有所不同，下面给朋友们分享一下mov压敏电阻的工作原理和注意事项。

压敏电阻是一种用得多的限压器件。压敏电阻有碳化硅压敏电阻和氧化锌压敏电阻。常用的是氧化锌（ZnO）压敏电阻，它主要是以氧化锌为原料，添加多种微量金属氧化物，经混合成型，烧结装配而成的一种过压保护器件，它的外面包封环氧树脂（可添加颜料）。

它相当于一个可变电阻，它是并联于电路中的。当电路在正常使用时，压敏电阻的阻抗很高，漏电流很小，可视为开路，对电路几乎没有影响。但当一很高的突波电压到来时，压敏电阻的电阻值瞬间下降（它的电阻值可以从MΩ（兆欧）级变到mΩ（毫欧）级），使它可以流过很大的电流，同时将过电压箝位在一定数值。

由于压敏电阻的突波承受能力取决于它的物理尺寸，因而有可能获得不同的浪涌电流值。

当加在压敏电阻上的电压低于它的阈值时，流过它的电流极小，它相当于一个阻值无穷大的电阻。也就是说，当加在它上面的电压低于其阈值时，它相当于一个断开状态的开关。

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