K4M561633G-BN75DDR内存主图

K4M561633G-BN75DDR内存参数

制造商IC编号K4M561633G-BN75

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别SDRAM-MOBILE-LP

IC代码16MX16 LPDRAM

脚位/封装FBGA-54

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)3.0v/3.3v

温度规格-25°C~+85°C(WIR

速度133 MHZ

标准包装数量1120

标准外箱4480

潜在应用HOUSE ELECTRONICS APPLIANCE/家用電子電器MP3 /MP4 /MP5 PLAYEROEM/ODM/TURNKEY/BUYING IC/组装代工廠/購買IC

密度512m

内部银行4银行

第十代

功率低,i-TCSR & PASR & DS

K4M561633G-BN75DDR内存相关信息

碳膜电阻器是膜式电阻器（Film Resistors）中的一种。它是采用高温真空镀膜技术将碳紧密附在瓷棒表面形成碳膜，然后加适当接头切割，并在其表面涂上环氧树脂密封保护而成的。其表面常涂以绿色保护漆。碳膜的厚度决定阻值的大小，通常用控制膜的厚度和刻槽来控制电阻器。碳膜电阻亦称“热分解碳膜电阻”。碳氢化合物在真空中高温热分解的碳沉积在基体上的一种薄膜电阻。价格低廉，性能稳定，阻值与功率范围宽。

对于碳膜电阻器来说，它制造过程是利用碳沉淀在磁棒或者瓷管上面，在其表面结成一层碳膜结晶，通过调整碳膜的厚度以及用刻槽的方法改变碳膜电阻的程度，得到我们所需要的电阻阻值，并在表面涂上环氧树脂来加强密封。碳膜电阻在外观上做成色环电阻系列，即色环碳膜电阻；这类色环电阻的阻值范围为1Ω~10MΩ，额定功率有0.125W、0.25W、0.5W、1W等，精度范围：±10%、±5%、±2% ，这种碳膜电阻体积普遍较大，通常在一些廉价电子产品经常用到，如熟悉的手机充电器，电脑电源、其他电子设备电路中。

碳膜电阻是用专用设备使气态碳氢化合物在高温和真空中分解，分解出的碳均匀沉积在陶瓷圆柱体或陶瓷管的圆周表面上形成一层结晶碳膜，再根据所需电阻值，改变碳膜厚度和选择螺旋刻槽螺距，以确定合适的碳膜横截面积与碳膜长度，然后掐上铜制端帽，焊出引线，表面喷漆封装而成。其外形、结构如下图所示。

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