产品说明：

单片机 ML51BB9AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 uA。此系列速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。

单片机 ML51BB9AE包含 16 K 字节的 Flash 以及一个额外 1 K 字节片上辅助 RAM(XRAM), 备有丰富的外设，如 7 个通用 I/O、2 组串口、1 组 ISO-7816 界面、2 组 I2C 与 1 组 SPI，并提供 MSOP10 封装。

目标应用:

穿戴式装置、智能摇控器、互联网端点设备、智能家居、烟感侦测装置、电池装置等。

关键特性:

•CPU 

-全静态 8 位 1T 8051 内核 CMOS 微控制器

-指令集全兼容 MCS-51 

-4 级优先级中断配置

-双数据指针 (DPTRs)

•工作条件

-宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V 

-宽工作频率至 24 MHz 

-工业级工作温度 - 40 ℃至 + 105 ℃

•低功耗特性 

-正常运行模式典型功耗 80 uA/ MHz 

-低功耗运行模式典型功耗 15 uA 

-低功耗空闲模式功耗不超过 13 uA 

-掉电模式典型功耗小于 1 uA 

-掉电模式下唤醒时间为 10 us (HIRC运行)

•内存 

-16 K 字节 APROM， 用于使用者代码 

-可配置 4K/3K/2K/1K 字节 LDROM， 用于启动系统程序设计（ISP）代码 

-APROM中应用编程（IAP）内存 128 字节每页累加 

-Flash 内存 100,000 次擦写寿命 

-代码安全加密 

-256 字节片上 RAM 

-额外 1 K字节片上辅助 RAM (XRAM) ，通过 MOVX 指令访问

•电源监视器 

-欠压检测 (BOD) 可用于低功耗模式，7 个级别可选，可配置中断或复位 

-上电复位 (POR) 

-低电压复位 (LVR)

•强效ESD及EFT能力 

-ESD HBM 通过 8 kV 

-EFT > ± 4.4 kV 

-闩锁测试通过 150 mA

•开发工具 

-Nuvoton Nu-Link 基于 KEILTM 和 IAR 开发环境 

-Nuvoton 电路编程 (Nu-Link) 

-Nuvoton 在系统编程 (ISP) 通过 UART

单片机 ML51BB9AE 单片机 ML51BB9AE

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