NAND闪存：K9HCG08U1D-PIB0
制造商：SAMSUNG
内存集成电路类型：FLASH
长度：18.4毫米
封装 / 箱体:FBGA-1152

NAND闪存：K9HCG08U1D-PIB0功能特征：
•电源
  -3.3V器件：2.7V〜3.6V
•组织
  -存储单元阵列：（2G + 109M）x 8位
  -数据寄存器：（4K + 218）x 8位
•自动编程和擦除
  -页面程序：（4K + 218）Byte
  -块擦除：（512K + 27.25K）Byte
•页面读取操作
  -页面大小：（4K + 218）Byte
  -随机读取：60μs（）
  -串行访问：30ns（）
  * K9XDG08U5D：50ns（）
•存储器单元：2bit /存储器单元
•快速的写入周期时间
  -编程时间：800μs（典型值）
  -块擦除时间：1.5ms（Typ。）
•命令/地址/数据多路复用I / O端口
•硬件数据保护
  -电源转换期间的编程/擦除锁定
•可靠的CMOS浮栅技术
  -耐力：待定周期（TBD ECC）
  -数据保留时间：待定
•命令寄存器操作
•包装：
  -K9LBG08U0D-PCB0 / PIB0：无铅封装
  48-TSOP I引脚（12 x 20 / 0.5 mm间距）
  -K9HCG08U1D-PCB0 / PIB0：无铅封装
  48-TSOP I引脚（12 x 20 / 0.5 mm间距）
  -K9MDG08U5D-PCB0 / PIB0：堆叠两个K9HCG08U1D封装
  48-TSOP I引脚（12 x 20 / 0.5 mm间距）：无铅封装
  -K9HCG08U1D-ICB0 / IIB0
  52-TLGA引脚（12 x 17 / 1.00 mm间距）
  -K9PDG08U5D-LCB0 / LIB0：铅/无卤素包装
  52-TLGA引脚（14 x 18 / 1.00 mm间距）

NAND闪存：交流测试条件：

NAND闪存：编程/擦除特性：

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