NAND闪存：K9NCG08U5M-PIB0
制造商：SAMSUNG
内存集成电路类型：FLASH
封装：TSSOP
工作温度：85 °C
工作温度：-40 °C
待机电流：0.0001 A
压摆率：0.035 mA

NAND闪存：K9NCG08U5M-PIB0功能摘要：
•电源
 -3.3V器件（K9XXG08UXM）：2.7V〜3.6V
•组织
 -存储单元阵列：（2G + 64M）x 8位
 -数据寄存器：（4K + 128）x 8位
•自动编程和擦除
 -页面程序：（4K + 128）Byte
 -块擦除：（256K + 8K）Byte
•页面读取操作
 -页面大小：（4K + 128）Byte
 -随机读取：25μs（值）
 -串行访问：25ns（）
 * K9NCG08U5M：50ns（）
•快速的写入周期时间
 -页面编程时间：200μs（典型值）
 -块擦除时间：1.5ms（Typ。）
2G x 8位/ 4G x 8位/ 8G x 8位NAND闪存
•命令/地址/数据多路复用I / O端口
•硬件数据保护
 -电源转换期间的编程/擦除锁定
•可靠的CMOS浮栅技术
 -资料保留时间：10年
•命令驱动操作
•具有内部1bit / 528Byte EDC的智能回写
•版权保护的ID
•包装：
 -K9KAG08U0M-PCB0 / PIB0：无铅封装
 48-TSOP1引脚（12 x 20 / 0.5 mm间距）
 -K9WBG08U1M-PCB0 / PIB0：无铅封装
 48-TSOP1引脚（12 x 20 / 0.5 mm间距）
 -K9WBG08U1M-ICB0 / IIB0
 52-TLGA引脚（12 x 17 / 1.0 mm间距）
 -K9MCG08U5M-PCB0 / PIB0：无铅封装

 48-TSOP1引脚（12 x 20 / 0.5 mm间距）

NAND闪存：ID数据1：                              

 NAND闪存：ID数据2：

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