动态随机存取存储器：MT41K256M16TW-107:P
制造商:Micron Technology
产品种类:动态随机存取存储器
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:FBGA-96

动态随机存取存储器：MT41K256M16TW-107:P特征：
•VDD = VDDQ = 1.35V（1.283–1.45V）
•向后兼容VDD = VDDQ = 1.5V±0.075V
–支持DDR3L设备在1.5V应用中向后兼容
•差分双向数据选通
•8n位预取架构
•差分时钟输入（CK，CK＃）
•8家内部银行
•标称和动态管芯端接（ODT），用于数据，选通和屏蔽信号
•可编程CAS（READ）延迟（CL）
•可编程过帐的CAS附加延迟（AL）
•可编程CAS（WRITE）延迟（CWL）
•固定的突发长度（BL）为8，突发斩波（BC）为4（通过模式寄存器集[MRS]）
•即时选择BC4或BL8（OTF）
•自刷新模式
•摄氏105度
–85°C的64ms，8192个周期的刷新
–> 85°C至95°C时32ms，8192个周期的刷新
–> 95°C至105°C时16ms，8192个周期的刷新
•自刷新温度（SRT）
•自动自我刷新（ASR）
•写作练级
•多用途寄存器
•输出驱动器校准

动态随机存取存储器：关键时序参数：

动态随机存取存储器：编址：

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