CSD17313Q2Q1 贴片6-WDFN 晶体管

型号/规格：
CSD17313Q2Q1
品牌/商标：
TI
封装：
6-WDFN
批号：
16+
性质：
晶体管

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集成电路(IC)(82)
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商品信息

CSD17313Q2Q1

Automotive Catalog Single D-Type Flip-Flop with 3-State Output

· Qualified for Automotive Applications

· Optimized for 5-V Gate Drive

· Ultra-Low Qg and Qgd

· Low Thermal Resistance

· Pb-Free

· RoHS Compliant

· Halogen-Free

· SON 2-mm × 2-mm Plastic Package

This 30-V, 24-mΩ, 2-mm × 2-mm SON NexFET? power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications and is optimized for 5-V gate drive applications. The 2-mm × 2-mm SON offers excellent thermal performance for the size of the package.

CSD17313Q2Q1 CSD17313Q2Q1 CSD17313Q2Q1

一般信息

数据列表	CSD17313Q2Q1;
标准包装	3,000
包装	标准卷带
零件状态	不適用於新設計
类别	分立半导体产品
产品族	晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列	汽车级，AEC-Q100，NexFET?
其它名称	296-35548-2

规格

FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	5A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）	3V，8V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值）	30 毫欧 @ 4A，8V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值）	1.8V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（大值）	2.7nC @ 4.5V
Vgs（大值）	+10V，-8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值）	340pF @ 15V
FET 功能	-
功率耗散（大值）	2.3W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	6-WSON（2x2）
封装/外壳	6-WDFN 裸露焊盘