SI2366DS-T1-GE3

SI2366DS-T1-GE3

制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 5.8 A
Rds On-漏源导通电阻: 36 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Qg-栅极电荷: 6.4 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.1 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
封装: Cut Tape
配置: Single
高度: 1.45 mm
长度: 2.9 mm
系列: SI2
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 1.6 mm
商标: Vishay / Siliconix
正向跨导 - 值: 13 S
下降时间: 8 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 12 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 14 ns
典型接通延迟时间: 5 ns
零件号别名: SI2366DS-GE3
单位重量: 8 mg

SI2366DS-T1-GE3

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