英飞凌 IGBT模块 BSM200GB60DLC 可控硅

型号/规格：
BSM200GB60DLC
品牌/商标：
INFINEON（英飞凌）
系列：
BSM
IGBT 类型：
IGBT模块
配置：
单一
电压 - 集射极击穿（最大值）：
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：
230A
功率 - 最大值：
730W
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：
2.45V @ 15V，200A
电流 - 集电极截止（最大值：
500μA
不同 Vce 时的输入电容（Cies）：
9nF @ 25V
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商品信息 更新时间：2021-01-07

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上；

IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见；

IGBT是能源变换与传输器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广

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